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型号 IPB042N10N3 G E8187
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
IPB042N10N3 G E8187 PDF
代理商 IPB042N10N3 G E8187
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 4.2 毫欧 @ 50A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 117nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 8410pF @ 50V
功率 - 最大 214W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPB042N10N3 G E8187CT
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